Počet záznamů: 1
InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance
- 1.
SYSNO ASEP 0306889 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance Překlad názvu Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami pokryté InGaAs pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflektancí Tvůrce(i) Hazdra, P. (CZ)
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Atef, M. (CZ)
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. - : Elsevier - ISSN 0921-5107
Roč. 147, - (2008), s. 175-178Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova optical properties ; MOVPE ; indium arsenide ; gallium arsenide ; quantum dots Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd KJB101630601 GA AV ČR - Akademie věd GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace Optical properties of MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs covered by thin InxGa1−xAs strain reducing layer were studied by photomodulated reflectance and photoluminescence spectroscopy. The increasing In content in the strain reducing layer shifts the luminescence of quantum dots from 1.25 to 1.46 mum and narrows the photoluminescence linewidth. The strong photoluminescence red shift is caused both by the change of the band structure and the height of quantum dots which. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2008
Počet záznamů: 1