0306848 - ÚMCH 2008 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Orava, J. - Wágner, T. - Krbal, M. - Kohoutek, T. - Vlček, Milan - Klepetek, P. - Frumar, M.
Selective dissolution of Agx(As0.33S0.67-ySey)100-x chalcogenide thin films.
[Selektivní rozpouštění tenkých vrstev Agx(As0.33S0.67-ySey)100-x.]
Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 354, 2-9 (2008), s. 533-539. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812.
[International Conference on Physics of Non-Crystalline Solids /11./. Rhodos, 29.10.2006-02.11.2006]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40500505
Klíčová slova: chalcogenide thin films
Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
Impakt faktor: 1.449, rok: 2008 ; AIS: 0.542, rok: 2008
DOI: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2007.07.058

Thin films of As33S67, As33S33,5 and As33Se67 prepared by vacuum thermal evaporation were selectively etched in alkaline organic solutions of amines. The dissolution mechanism and relation between photo-structural change and dissolution behavior are proposed. Potential application is shown in fabrication of "microlenses like" motive into films.

Tenké vrstvy As33S67, As33S33,5 a As33Se67 připravené vakuovým napařováním byly selektivně leptány v alkalických organických roztocích aminů. Byl navržen mechanismus rozpouštění a vztah mezi fotostrukturními změnami a chováním při rozpouštění. Na vrstvách byly vytvořeny motivy mikročoček jako potenciální aplikace selektivního leptání.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0159757