Počet záznamů: 1  

Doubly versus singly positively charged oxygen ions back-scattered from a silicon surface under dynamic O.sub.2./sub..sup.+./sup. bombardment

  1. 1.
    SYSNO0304285
    NázevDoubly versus singly positively charged oxygen ions back-scattered from a silicon surface under dynamic O2+ bombardment
    Tvůrce(i) Franzreb, K. (US)
    Williams, P.
    Lörinčík, Jan (UFCH-W)
    Šroubek, Zdeněk (URE-Y)
    Zdroj.dok. Applied Surface Science. 203-204, - (2003), s. 39-42. - : Elsevier
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant CHE-0091328, XE - země EU
    CEZAV0Z2067918 - URE-Y
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.NL
    Klíč.slova ionisation * sputtering
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0003150
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.