Počet záznamů: 1
High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements
- 1.
SYSNO ASEP 0304148 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV W - Uspořádání workshopu Poddruh J Ostatní články Název High temperature annealing of undoped and Mn doped InP: photoluminescence and Hall measurements Tvůrce(i) Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Žďánský, Karel (URE-Y)
Pekárek, Ladislav (FZU-D)
Procházková, Olga (URE-Y)
Kacerovský, Pavel (URE-Y)Zdroj.dok. Physica Status Solidi C : Conferences and critical reviews - ISSN 1610-1634
Roč. 0, č. 3 (2003), s. 862-866Poč.str. 5 s. Akce EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./ Druh akce W - Workshop Datum konání 26.05.2002-29.05.2002 Místo konání Budapest Země HU - Maďarsko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova semiconductors ; photoluminescence ; galvanomagnetic effects Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KSK1010104 Projekt 04/01:4043 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Anotace Crystals of intentionally undoped n-type InP and Mn doped p-type InP were grown by Czochralski technique. The as grown crystals and those processed by high temperature long time annealing were studied by low temperature photoluminescence and temperature dependent Hall measurements. A new broad band was observed in those undoped InP samples which were converted to semi-insulating state by annealing. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2004
Počet záznamů: 1