Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE
1.
SYSNO ASEP
0303955
Druh ASEP
J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV
J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J
Ostatní články
Název
Origin of the photoluminescence line at 0.8 eV in undoped and Si-doped GaSb grown by MOVPE
Tvůrce(i)
Agert, C. (DE) Gladkov, Petar (URE-Y) Bett, A. W. (DE)
Zdroj.dok.
Semiconductor Science and Technology. - : Institute of Physics Publishing
- ISSN 0268-1242
Roč. 17, č. 1 (2002), s. 39-46
Poč.str.
8 s.
Jazyk dok.
eng - angličtina
Země vyd.
GB - Velká Británie
Klíč. slova
photoluminescence ; silicon ; epitaxial growth
Vědní obor RIV
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEZ
AV0Z2067918 - URE-Y
Anotace
We study electrical properties and the photoluminescence /PL/ of Si-doped bulk GaSb grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Si was found to behave a substitution shallow acceptor in GaSb with activation energy of 9 meV, which is responsible for the 0.8 eV line in the PL spectrum of GaSb.
