Počet záznamů: 1
Ga.sub.1-x./sub.In.sub.x./sub.SB-MOVPE growth and thermodynamic model
- 1.
SYSNO 0303796 Název Ga1-xInxSB-MOVPE growth and thermodynamic model Tvůrce(i) Kosíková, Jitka (URE-Y)
Leitner, J. (CZ)
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Jurek, K. (FZU-D)
Drbohlav, Ivo (FZU-D) RID, ORCID
Stejskal, J. (CZ)Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Roč. 16, č. 9 (2001), s. 759-762. - : Institute of Physics Publishing Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA202/98/P254 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova semiconductor growth * semiconductor materials * thermodynamics Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0113980
Počet záznamů: 1