Schottky bariers as a diagnostic tool for evaluating properties of InP epitaxial layers prepared from melts containing rare-earth elements
1.
SYSNO ASEP
0303691
Druh ASEP
C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV
D - Článek ve sborníku
Název
Schottky bariers as a diagnostic tool for evaluating properties of InP epitaxial layers prepared from melts containing rare-earth elements
Tvůrce(i)
Procházková, Olga (URE-Y) Šrobár, Fedor (URE-Y) Jelínek, František (URE-Y) Šaroch, Jaroslav (URE-Y) Žďánský, Karel (URE-Y)
Vyd. údaje
Piscataway: IEEE, 2000
ISBN
0-7803-5939-9
Zdroj.dok.
ASDAM 2000. Conference Proceedings of the 3rd International Euro Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems / Osvald J. ; Haščík Š. ; Kuzmík J. ; Breza J.
Rozsah stran
s. 197-199
Poč.str.
3 s.
Akce
ASDAM 2000
Datum konání
16.10.2000-18.10.2000
Místo konání
Smolenice
Země
SK - Slovensko
Jazyk dok.
eng - angličtina
Země vyd.
US - Spojené státy americké
Klíč. slova
semiconductors ; rare earth compounds
Vědní obor RIV
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP
GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ
AV0Z2067918 - URE-Y
Překlad anotace
Properties of Schottky diodes manufactured from InP:(Er) layers are compared with those of diodes prepared under otherwise similar conditions but without the admixture of Er in the growth solution. Presence of Er in the preparation process was found to have beneficial effects on both the reverse and forward current magnitudes and on the diode ideality factor. Capability of Schottky diodes to generate higher-order harmonics in suitably configured circuits was also investigated.
