Počet záznamů: 1
Rare earth elements in semiconductors. Characterization-Part II
- 1.
SYSNO ASEP 0303479 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Rare earth elements in semiconductors. Characterization-Part II Tvůrce(i) Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Procházková, Olga (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)Vyd. údaje Beijing: [Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences], 1999 Zdroj.dok. Proceedings The Second Chinese-Czech Symposium Advenced Materials and Devices for Optoelectronics / Yu J. Rozsah stran s. 100-105 Poč.str. 6 s. Akce Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./ Datum konání 13.09.1999-14.09.1999 Místo konání Beijing Země CN - Čína Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CN - Čína Klíč. slova rare earth compounds ; III-V semiconductors ; photoluminescence Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z2067918 - URE-Y Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2000
Počet záznamů: 1