Počet záznamů: 1  

Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In.sub.0.5./sub.Ga.sub.0.5./sub.P

  1. 1.
    Žďánský, K., Procházková, O., Nohavica, D. Temperature dependence of electron hall concetration in n-type InP and n-type In0.5Ga0.5P. Beijing: [Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences], 1999. In: YU, J., ed. Proceedings The Second Chinese-Czech Symposium Advenced Materials and Devices for Optoelectronics. , s. 52-58.

Počet záznamů: 1  

Metadata v repozitáři ASEP jsou licencována pod licencí CC0.

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.