Počet záznamů: 1  

A diagrammatic method for analysis of GaAs and InP based optoelectronic devices

    1.
    SYSNO ASEP0303449
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevA diagrammatic method for analysis of GaAs and InP based optoelectronic devices
    Tvůrce(i) Šrobár, Fedor (URE-Y)
    Zdroj.dok.Czechoslovak Journal of Physics. - : Springer - ISSN 0011-4626
    Roč. 49, č. 5 (1999), s. 783-789
    Poč.str.7 s.
    AkceCzech-Chinese Workshop on Advanced Materials for Optoelectronics - AMFO'98
    Datum konání15.06.1998-17.06.1998
    Místo konáníPrague
    ZeměCZ - Česká republika
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaoptoelectronic devices ; nonlinear systems
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    CEPGA102/99/0341 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z2067918 - URE-Y
    PracovištěÚstav fotoniky a elektroniky
    KontaktPetr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
    Rok sběru2000

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše