Počet záznamů: 1
Diode Laser Spectroscopy Using Two Modes of an InAsSb/InAsSbP Laser near 3.6 ćm
- 1.
SYSNO ASEP 0181026 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Diode Laser Spectroscopy Using Two Modes of an InAsSb/InAsSbP Laser near 3.6 ćm Tvůrce(i) Civiš, Svatopluk (UFCH-W) RID, ORCID, SAI
Imenkov, A. N. (RU)
Danilova, A. P. (RU)
Kolchanova, N. M. (RU)
Sherstnev, V. V. (RU)
Yakovlev, Yu. P. (RU)
Walters, A. D. (FR)Zdroj.dok. Applied Physics B-Lasers and Optics. - : Springer - ISSN 0946-2171
Roč. 71, - (2000), s. 481-485Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova semiconductor laser ; spectroscopy ; InAsSb/InAsSbP Vědní obor RIV CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie CEP IAA4040708 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z4040901 - UFCH-W A54/98:Z4-040-9-ii Anotace A new type of multimode semiconductor laser, based on InAsSb/InAsSbP heterostructures, is described. Pracoviště Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského Kontakt Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1