Počet záznamů: 1  

Diode Laser Spectroscopy Using Two Modes of an InAsSb/InAsSbP Laser near 3.6 ćm

  1. 1.
    0181026 - UFCH-W 20000293 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Civiš, Svatopluk - Imenkov, A. N. - Danilova, A. P. - Kolchanova, N. M. - Sherstnev, V. V. - Yakovlev, Yu. P. - Walters, A. D.
    Diode Laser Spectroscopy Using Two Modes of an InAsSb/InAsSbP Laser near 3.6 ćm.
    Applied Physics B-Lasers and Optics. Roč. 71, - (2000), s. 481-485. ISSN 0946-2171. E-ISSN 1432-0649
    Grant CEP: GA AV ČR IAA4040708
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z4040901; CEZ:A54/98:Z4-040-9-ii
    Klíčová slova: semiconductor laser * spectroscopy * InAsSb/InAsSbP
    Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
    Impakt faktor: 1.913, rok: 2000

    A new type of multimode semiconductor laser, based on InAsSb/InAsSbP heterostructures, is described.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0077634

     
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.