Photoexcited transients in disordered semiconductors: kinematically induced electron-hole correlation

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0134356
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Photoexcited transients in disordered semiconductors: kinematically induced electron-hole correlation
Tvůrce(i)	Kalvová, Anděla (FZU-D)_{RID, ORCID} Velický, Bedřich (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Progress in Nonequilibrium Green's Functions / Bonitz M. ; Semkat D.. - Singapore : World Scientific Publishing Co., Pte. Ltd., 2003 - ISBN 981-238-271-2
Rozsah stran	s. 322-329
Poč.str.	8 s.
Akce	Progress in Nonequilibrium Green's Functions
Datum konání	19.08.2002-23.08.2002
Místo konání	Dresden
Země	DE - Německo
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	SG - Singapur
Klíč. slova	kinematical correlation ; disorder semiconductor ; non-equilibrium
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GA202/00/0643 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z1010914 - FZU-D
Anotace	The kinematical correlation in the motion of electrons and holes ("exciton" like effect) appear for mixed semiconductor, if alloy disorder in the v- and c-bands are statistically corellated. The analogous behaviour is seen in the strong non-equilibrium regime.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2004

Počet záznamů: 1