Počet záznamů: 1
Investigation of defects created by growth of InAs quantum dots in GaAs
- 1.
SYSNO 0134201 Název Investigation of defects created by growth of InAs quantum dots in GaAs Tvůrce(i) Dózsa, L. (HU)
Horváth, Z. J. (HU)
Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Krištofik, Jozef (FZU-D) RID
Mareš, Jiří J. (FZU-D) RID, ORCID
Gombia, E. (IT)
Frigeri, P. (IT)
Mosca, R. (IT)
Franchi, S. (IT)
Pécz, B. (HU)
Dobos, L. (HU)Zdroj.dok. Physica Status Solidi C : Conferences and critical reviews. Roč. 0, č. 3 (2003), s. 975-980 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA1010806 GA AV ČR - Akademie věd T 035272, HU - Maďarsko CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Jazyk dok. eng Země vyd. DE Klíč.slova quantum dots * point defects * InAs/GaAs Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0032117
Počet záznamů: 1