Počet záznamů: 1  

Investigation of defects created by growth of InAs quantum dots in GaAs

  1. SYS0134201
    LBL
      
    00000nam^^22^^^^^^^^450
    005
      
    20210715114244.1
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a DE
    200
    1-
    $a Investigation of defects created by growth of InAs quantum dots in GaAs
    215
      
    $a 6 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0290773 $1 011 $a 1610-1634 $1 200 1 $a Physica Status Solidi C $e Conferences and critical reviews $v Roč. 0, č. 3 (2003), s. 975-980
    610
    1-
    $a quantum dots
    610
    1-
    $a point defects
    610
    1-
    $a InAs/GaAs
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0014729 $a Dózsa $b L. $y HU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0017850 $a Horváth $b Z. J. $y HU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100246 $a Hubík $b Pavel $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100327 $a Krištofik $b Jozef $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100372 $a Mareš $b Jiří J. $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0017851 $a Gombia $b E. $y IT $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0017854 $a Frigeri $b P. $y IT $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0017852 $a Mosca $b R. $y IT $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0017853 $a Franchi $b S. $y IT $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0044317 $a Pécz $b B. $y HU $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0044318 $a Dobos $b L. $y HU $4 070

Počet záznamů: 1  

Metadata v repozitáři ASEP jsou licencována pod licencí CC0.

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.