Correlated doping in semiconductors: The role of donors in III-V diluted magnetic semiconductors

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0134114
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Correlated doping in semiconductors: The role of donors in III-V diluted magnetic semiconductors
Tvůrce(i)	Mašek, Jan (FZU-D)_RID Turek, Ilja (UFM-A)_{RID, ORCID} Drchal, Václav (FZU-D)_{RID, ORCID} Kudrnovský, Josef (FZU-D)_{RID, ORCID} Máca, František (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Acta Physica Polonica A. - : Polska Akademia Nauk - ISSN 0587-4246 Roč. 102, 4-5 (2002), s. 673-678
Poč.str.	6 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	PL - Polsko
Klíč. slova	diluted magnetic semiconductors ; impurities
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	IAA1010214 GA AV ČR - Akademie věd
	GA202/00/0122 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z2041904 - UFM-A
	AV0Z1010914 - FZU-D
Anotace	Formation energy of As-antisite defects in (Ga, Mn)As decreases with increasing concentration of Mn.This explains strong compensation in these material.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2004

Počet záznamů: 1