Počet záznamů: 1
Photoluminescence of biased GaAs/Al.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As double quantum wells - many-body effects
- 1.0133961 - FZU-D 20020247 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Zvára, M. - Grill, R. - Hlídek, P. - Orlita, M. - Soubusta, Jan
Photoluminescence of biased GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells - many-body effects.
[Fotoluminescence šikmých dvojitých kvantových stěn v GaAs/AlxGa1-xAs.]
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. Roč. 12, - (2002), s. 335-339. ISSN 1386-9477. E-ISSN 1873-1759
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: biased double quantum well * photoluminescence * many-body effects
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.107, rok: 2002
Photolumiescence spectra of an MBE-grown symmetric 10nm wide double quantum wells located in the intrinsic region of p-i-n diode were investigated in electric and magnetic fields.The new PL bands were interpreted as a recombination of DX excitons, coupled by Coulomb interaction to 2D degenerate electron or hole gases in the adjacent well.
Byla zkoumána fotoluminiscenční spektra v elektrických a magnetických polích na symetrických dvojitých kvantových stěnách o tlouštce 10nm a vypěstovaných metodou MBE
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031908
Počet záznamů: 1