Počet záznamů: 1
A Raman study of GaAsN, GaInAsN layers on bevelled samples
- 1.
SYSNO ASEP 0133759 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název A Raman study of GaAsN, GaInAsN layers on bevelled samples Tvůrce(i) Srnanek, R. (SK)
Vincze, A. (SK)
Kovac, J. (SK)
Gregora, Ivan (FZU-D) RID, ORCID
Mc Phail, D. S. (GB)
Gottschalsch, V. (DE)Zdroj.dok. Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. - : Elsevier - ISSN 0921-5107
91-92, - (2002), s. 87-90Poč.str. 4 s. Akce International Conference of Defects /9./ Datum konání 24.09.2001-28.09.2001 Místo konání Rimini Země IT - Itálie Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova Raman spectroscopy ; GaAsN ; GaInAsN ; bevelling Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Bevelled structures of strained and relaxed GaAsN and GaInAsN layers have been investigated by Raman spectroscopy. The ratio of TO/LO phonon intensities (ITO/ILO) along the bevelled structures was evaluated. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2003
Počet záznamů: 1