Photoluminescence of Ga.sub.0.94./sub.In.sub.0.06./sub.As.sub.0.13./sub.Sb.sub.0.87./sub. solid solution lattice matched to InAs

Name: Photoluminescence of Ga.sub.0.94./sub.In.sub.0.06./sub.As.sub.0.13./sub.Sb.sub.0.87./sub. solid solution lattice matched to InAs
Availability: OutOfStock

Moiseev, K. D.; Mikhailova, M. P.; Yakovlev, Yu. P.; Šimeček, Tomislav; Hulicius, Eduard; Oswald, Jiří

Počet záznamů: 1

Photoluminescence of Ga.sub.0.94./sub.In.sub.0.06./sub.As.sub.0.13./sub.Sb.sub.0.87./sub. solid solution lattice matched to InAs

1.

SYSNO ASEP	0133729
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Photoluminescence of Ga_0.94In_0.06As_0.13Sb_0.87 solid solution lattice matched to InAs
Tvůrce(i)	Moiseev, K. D. (RU) Mikhailova, M. P. (RU) Yakovlev, Yu. P. (RU) Šimeček, Tomislav (FZU-D) Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Optical Materials. - : Elsevier - ISSN 0925-3467 Roč. 19, - (2002), s. 455-459
Poč.str.	5 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	semiconductors III-V ; photoluminescence
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	IAA1010807 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	AV0Z1010914 - FZU-D
Anotace	High quality epitaxial layers of GaIn_0.06As_0.13Sb quaternary solid solution with low In content were grown by LPE lattice matched to InAs substrate. The main types of radiative transitions for intentionally undoped p-type and for Te doped n-type GaIn_0.06As_0.13Sb solid solution were determined.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2003

Počet záznamů: 1