Počet záznamů: 1
Relaxation of electron energy in polar semiconductor double dots
- 1.
SYSNO ASEP 0133721 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Relaxation of electron energy in polar semiconductor double dots Tvůrce(i) Král, Karel (FZU-D) RID
Khás, Zdeněk (FZU-D)
Zdeněk, Petr (FZU-D)
Čerňanský, Marian (FZU-D) RID
Lin, C. Y. (TW)ISBN 1-4020-0578-4 Zdroj.dok. Molecular Low Dimensional and Nanostructured Materials for Advanced Applications / Graja A.. - Dordrecht : Kluwer Academic Publishers, 2002 Rozsah stran s. 267-271 Poč.str. 5 s. Akce Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Molecular Low Dimensional and Nanostructured Materials for Advanced Applications Datum konání 01.09.2001-05.09.2001 Místo konání Poznaň Země PL - Polsko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova quantum dots ; electron energy ; relaxation ; semiconductors Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010113 GA AV ČR - Akademie věd OC P5.20 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Theory of the electron energy relaxation in the double quantum dots, important from the point of view of quantum computing, is developed. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2003
Počet záznamů: 1