Počet záznamů: 1
Silicon-based-light-emitting materials: implanted SiO.sub.2./sub. films and wide bandgap a-Si:H
- 1.
SYSNO ASEP 0133689 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Silicon-based-light-emitting materials: implanted SiO2 films and wide bandgap a-Si:H Tvůrce(i) Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Luterová, Kateřina (FZU-D)
Fojtík, Petr (FZU-D)
Rehspringer, J. L. (DE)
Müller, D. (DE)
Grob, J. J. (DE)
Dian, J. (DE)
Valenta, Jan (FZU-D)
Tomasiunas, R. (LT)
Hönerlage, B. (DE)ISBN 0-8194-4120-1 Zdroj.dok. Optical Organic and Inorganic Materials. - Washington : SPIE, 2001 / Ašmontas S. P. ; Gradauskas J. - ISSN 0277-786X Rozsah stran s. 66-76 Poč.str. 11 s. Akce Optical Organic and Inorganic Materials Datum konání 16.08.2000-19.08.2000 Místo konání Vilnius Země LT - Litva Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova amorphous silicon ; implanted SiO2 ; silicon nanocrystals ; photoluminescence ; electroluminescence Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAB1112901 GA AV ČR - Akademie věd GA202/98/0669 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace The paper reviews critically the results of investigation of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and Si.sup.+ - implanted SiO2 films from the point of view of light emission applications. Wide band gap a-Si:H with the energy gap ranging from 2.0 to 2.2 eV exhibits room temperature photoluminescence in the visible region. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1