Počet záznamů: 1  

Si.sup.+./sup. and Ge.sup.+./sup. ion implanted SiO.sub.2./sub. matices: photoluminescence peculiarities

  1. 1.
    SYSNO0133635
    NázevSi+ and Ge+ ion implanted SiO2 matices: photoluminescence peculiarities
    Tvůrce(i) Mikulskas, I. (LT)
    Šulcas, R. (LT)
    Vanagas, E. (LT)
    Tomašiunas, R. (LT)
    Luterová, Kateřina (FZU-D)
    Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Rehspringer, J. L. (FR)
    Lévy, R. (FR)
    Zdroj.dok. Lithuanian Journal of Physics. Roč. 41, 4-6 (2001), s. 399-403
    Konference National Lithuanin Physics Conference /34./, Vilnius, 14.06.2001-16.06.2001
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant PST.GLG.978100, XX
    IAA1010809 GA AV ČR - Akademie věd
    IAB2949101 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z1010914 - FZU-D
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.LT
    Klíč.slova nanocrystallites * ion-implanted SiO2 * photoluminescence
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0031598
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.