Počet záznamů: 1
Transition metal 3d states in HgSe-based diluted magnetic semiconductors
- 1.
SYSNO ASEP 0133615 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Transition metal 3d states in HgSe-based diluted magnetic semiconductors Tvůrce(i) Guziewicz, E. (PL)
Kowalski, B. J. (PL)
Mašek, Jan (FZU-D) RID
Orlowski, B. A. (PL)
Johnson, R. L. (DE)Zdroj.dok. Journal of Alloys and Compounds. - : Elsevier - ISSN 0925-8388
Roč. 328, - (2001), s. 119-125Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova diluted magnetic semiconductors ; resonant photoemission ; electronic band structure Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace The contribution of transition metal 3d states to the valence band of HgSe doped with Mn, Fe, and Co was investigated by resonant photoemission and CPA calculations. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2002
Počet záznamů: 1