0133390 - FZU-D 20010187 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Kudrna, J. - Trojánek, F. - Malý, P. - Pelant, Ivan
Carrier diffusion in microcrystalline silicon studied by the picosecond laser induced grating technique.
Applied Physics Letters. Roč. 79, č. 5 (2001), s. 626-628. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA AV ČR IAA1010809; GA AV ČR IAB2949101
Grant ostatní: GA UK(XC) 180/99
Výzkumný záměr: CEZ:A02/98:Z1-010-914
Klíčová slova: microcrysralline silicon * carrier diffusion
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.849, rok: 2001

We report on the picosecond laser induced grating technique applied to hydrogenated microcrystalline silicon and aimed at studying the photocarrier diffusion coefficient.

Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031359