Počet záznamů: 1
Quantum size InAs/GaAs lasers - preparation and properties
- 1.
SYSNO ASEP 0133090 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Quantum size InAs/GaAs lasers - preparation and properties Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hazdra, P. (CZ)
Voves, J. (CZ)
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Vančura, Milan (FZU-D)
Petříček, Otto (FZU-D) RID
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. ASDAM 2000. Conference proceedings / Osvald J. ; Haščík Š. ; Kuzmík J. ; Breza J.. - Danvers : IEEE, 2000 - ISBN 0-7803-5939-9 Rozsah stran s. 375-378 Poč.str. 4 s. Akce International EuroConference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /3./ ASDAM 2000 Datum konání 16.10.2000-18.10.2000 Místo konání Smolenice Castle Země SK - Slovensko Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA102/99/0414 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA1010807 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace This paper reported about the preparation and parameters of laser structures based on very strained single and multiple quantum wells working at room and elevated temperatures. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1