Počet záznamů: 1
InAs/GaAs multiple quantum dot structures grown by LP-MOVPE
- 1.
SYSNO ASEP 0133087 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název InAs/GaAs multiple quantum dot structures grown by LP-MOVPE Tvůrce(i) Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Vorlíček, Vladimír (FZU-D) RID
Drbohlav, Ivo (FZU-D) RID, ORCID
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
Roč. 380, - (2000), s. 101-104Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Structures with self-organised InAs quantum dots in a GaAs matrix were grown by the pow pressuer metal-organic vapour phase epitaxy technique. Photoluminescence and atomic force microscopy were used as the main characterisation methods for the growth optimisation. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1