Počet záznamů: 1
Electron mobility in .I.n./I.-GaAs at low-temperature impurity breakdown
- 1.
SYSNO ASEP 0133004 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Electron mobility in .I.n./I.-GaAs at low-temperature impurity breakdown Tvůrce(i) Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Cukr, Miroslav (FZU-D)
Schowalter, D. (DE)
Prettl, W. (DE)Zdroj.dok. Physical Review B - ISSN 0163-1829
Roč. 62, č. 24 (2000), s. 16768-16772Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1010011 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Anotace Using a combination of the standard Hall technique and the photoluminescence imaging of galvanomagnetic transport, free-electron density and mobility have been measured in the regime of filamentary current flow after the electric breakdown of n-GaAs at the temperature of liquid helium. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2001
Počet záznamů: 1