Počet záznamů: 1  

Electron mobility in .I.n./I.-GaAs at low-temperature impurity breakdown

  1. 1.
    Novák, V., Cukr, M., Schowalter, D., Prettl, W. Electron mobility in .I.n./I.-GaAs at low-temperature impurity breakdown. Physical Review B. 2000, 62(24), 16768-16772. ISSN 0163-1829.

Počet záznamů: 1  

Metadata v repozitáři ASEP jsou licencována pod licencí CC0.

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.