Počet záznamů: 1
InAs/GaSb structures on GaSb: A raman scattering study
SYS 0132519 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20200403114312.8 101 0-
$a eng 102 $a CZ 200 1-
$a InAs/GaSb structures on GaSb: A raman scattering study 215 $a 4 s. 463 -1
$1 200 1 $a Workshop Proceedings - EW MOVPE 7 $v s. 381-384 $1 702 1 $a Mircea $b A. $4 340 $1 702 1 $a Gregor $b V. $4 340 $1 702 1 $a Závěta $b K. $4 340 $1 010 $a 80-238-3551-3 $1 210 $a Praha $c FZÚ AV ČR $d 1999 700 -1
$3 cav_un_auth*0100614 $a Vorlíček $b Vladimír $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100384 $a Melichar $b Karel $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1