Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM

Počet záznamů: 1

SYSNO	0132494
Název	Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM
Tvůrce(i)	Pacherová, Oliva (FZU-D)_{RID, ORCID} Slezák, Jiří (FZU-D) Cukr, Miroslav (FZU-D) Bartoš, Igor (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 49, č. 11 (1999), s. 4736C-4739C. - : Springer
Konference	Symposium on Surface Physics /7./, Třešť, 28.06.1999-02.07.1999
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	GA102/99/0415 GA ČR - Grantová agentura ČR
	Kontakt-090, CZ - Česká republika
CEZ	AV0Z1010914 - FZU-D
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	CZ
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0000567

Počet záznamů: 1