Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0132494
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM
Tvůrce(i)	Pacherová, Oliva (FZU-D)_{RID, ORCID} Slezák, Jiří (FZU-D) Cukr, Miroslav (FZU-D) Bartoš, Igor (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Czechoslovak Journal of Physics. - : Springer - ISSN 0011-4626 Roč. 49, č. 11 (1999), s. 4736C-4739C
Poč.str.	4 s.
Akce	Symposium on Surface Physics /7./
Datum konání	28.06.1999-02.07.1999
Místo konání	Třešť
Země	CZ - Česká republika
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CZ - Česká republika
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GA102/99/0415 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z1010914 - FZU-D
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2000

Počet záznamů: 1