Počet záznamů: 1
Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM
- 1.PACHEROVÁ, Oliva, SLEZÁK, Jiří, CUKR, Miroslav, BARTOŠ, Igor. Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM. Czechoslovak Journal of Physics. 1999, 49(11), 4736C-4739C. ISSN 0011-4626.
Počet záznamů: 1