Počet záznamů: 1  

Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM

  1. 1.
    PACHEROVÁ, Oliva, SLEZÁK, Jiří, CUKR, Miroslav, BARTOŠ, Igor. Charge screening around Si dopant atoms in GaAs by X-STM. Czechoslovak Journal of Physics. 1999, 49(11), 4736C-4739C. ISSN 0011-4626.

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.