Počet záznamů: 1
Preparation and characterisation of A III B V semiconductor quantum-size structures by MOCVD technology
- 1.
SYSNO ASEP 0132425 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Preparation and characterisation of A III B V semiconductor quantum-size structures by MOCVD technology Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Šimeček, Tomislav (FZU-D)Zdroj.dok. The Second China-Czech Symposium on Advanced Material and Devices for Optoelectronics / Yu J.. - : National Natural Sciences Foundation of China, 1999 Rozsah stran s. 16-23 Poč.str. 8 s. Akce China-Czech Symposium on Advanced Material and Devices for Optoelectronics /2./ Datum konání 13.09.1999-14.09.1999 Místo konání Beijing Země CN - Čína Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CN - Čína Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/99/1613 GA ČR - Grantová agentura ČR GA102/99/0414 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/98/0074 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA1010807 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z1010914 - FZU-D Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2000
Počet záznamů: 1