Počet záznamů: 1
Preparation and characterisation of A III B V semiconductor quantum-size structures by MOCVD technology
SYS 0132425 LBL 00000nam^^22^^^^^^^^450 005 20200403114308.4 101 0-
$a eng 102 $a CN 200 1-
$a Preparation and characterisation of A III B V semiconductor quantum-size structures by MOCVD technology 215 $a 8 s. 463 -1
$1 200 1 $a The Second China-Czech Symposium on Advanced Material and Devices for Optoelectronics $v s. 16-23 $1 702 1 $a Yu $b J. $4 340 $1 210 $c National Natural Sciences Foundation of China $d 1999 700 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100384 $a Melichar $b Karel $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1