Počet záznamů: 1
Study of single and double .delta.-doped GaAs layers by spectral photoconductivity measurements
- 1.
SYSNO ASEP 0132206 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Study of single and double .delta.-doped GaAs layers by spectral photoconductivity measurements Tvůrce(i) Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pastrňák, Josef (FZU-D)
Karel, František (FZU-D)
Petříček, Otto (FZU-D) RID
Salokatve, A. (FI)Zdroj.dok. Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
Roč. 342, - (1999), s. 262-265Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/95/0194 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/98/0074 GA ČR - Grantová agentura ČR Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2000
Počet záznamů: 1