Počet záznamů: 1  

Surface-morphology evolution during unstable homoepitaxial growth of GaAs(101)

  1. 1.
    SYSNO0132183
    NázevSurface-morphology evolution during unstable homoepitaxial growth of GaAs(101)
    Tvůrce(i) Tejedor, P. (ES)
    Šmilauer, Pavel (FZU-D)
    Roberts, C. (GB)
    Joyce, B. A. (GB)
    Zdroj.dok. Physical Review. B. Roč. 59, č. 3 (1999), s. 2341-2345
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GA202/96/1736 GA ČR - Grantová agentura ČR
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.US
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0030218
     

Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.