Počet záznamů: 1
Femtosecond dephasing in porous silicon
- 1.
SYSNO ASEP 0131887 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Femtosecond dephasing in porous silicon Tvůrce(i) Tomasiunas, R. (LT)
Moniatte, J. (FR)
Pelant, Ivan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Gilliot, P. (FR)
Honerlage, B. (FR)Zdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 68, - (1996), s. 3296-3298Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké CEP IAA1010528 GA AV ČR - Akademie věd GA202/95/1445 GA ČR - Grantová agentura ČR Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 1999
Počet záznamů: 1