Growth and etching of GaAs(001)

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0131855
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Growth and etching of GaAs(001)
Tvůrce(i)	Šmilauer, Pavel (FZU-D) Vvedensky, D. D. (GB)
Zdroj.dok.	Computer Simulation Studies in Condesed-Matter Physics / Landau D. P. ; Mon K. K. ; Schutter H. B.. - Berlin : SpringerVerlag, 1995 - ISBN 3-540-60346-8
Rozsah stran	s. 205-223
Akce	Workshop of Computer Simulation Studies in Condesed-Matter Physics /8./
Datum konání	20.02.1995-24.02.1995
Místo konání	Athens
Země	GR - Řecko
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	DB - DB
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	1999

Počet záznamů: 1