Počet záznamů: 1  

Growth and etching of GaAs(001)

  1. SYS0131855
    LBL
      
    00000nam^^22^^^^^^^^450
    005
      
    20151120100042.2
    101
    0-
    $a eng
    102
      
    $a DB
    200
    1-
    $a Growth and etching of GaAs(001)
    463
    -1
    $1 200 1 $a Computer Simulation Studies in Condesed-Matter Physics $v s. 205-223 $1 702 1 $a Landau $b D. P. $4 340 $1 702 1 $a Mon $b K. K. $4 340 $1 702 1 $a Schutter $b H. B. $4 340 $1 010 $a 3-540-60346-8 $1 210 $a Berlin $c SpringerVerlag $d 1995 $1 225 1 $a Springer Proceedings in Physics. $v 80
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0100567 $a Šmilauer $b Pavel $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0036105 $a Vvedensky $b D. D. $y GB $4 070

Počet záznamů: 1  

Metadata v repozitáři ASEP jsou licencována pod licencí CC0.

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.