Počet záznamů: 1
InAs quantum dots in GaAs. Technology and luminescence properties
- 1.
SYSNO 0131651 Název InAs quantum dots in GaAs. Technology and luminescence properties Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Melichar, Karel (FZU-D)
Šimeček, Tomislav (FZU-D)
Janda, Pavel (UFCH-W) RID, ORCIDZdroj.dok. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices. s. 207-210, High Technology. / Novák J.. - Dodrecht : Kluwer Academic Publishers, 1998 ISBN 0-7923-5013-8 Konference International Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices, 12.10.1997-16.10.1997 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant GA102/96/1703 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/95/0194 GA ČR - Grantová agentura ČR GA203/96/1090 GA ČR - Grantová agentura ČR Jazyk dok. eng Země vyd. NL Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0029707
Počet záznamů: 1
