Počet záznamů: 1  

InAs quantum dots in GaAs. Technology and luminescence properties

  1. 1.
    SYSNO0131651
    NázevInAs quantum dots in GaAs. Technology and luminescence properties
    Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Melichar, Karel (FZU-D)
    Šimeček, Tomislav (FZU-D)
    Janda, Pavel (UFCH-W) RID, ORCID
    Zdroj.dok. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices. s. 207-210, High Technology. / Novák J.. - Dodrecht : Kluwer Academic Publishers, 1998
    ISBN0-7923-5013-8
    Konference International Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices, 12.10.1997-16.10.1997
    Druh dok.Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grant GA102/96/1703 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GA202/95/0194 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GA203/96/1090 GA ČR - Grantová agentura ČR
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.NL
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0029707
     

Počet záznamů: 1  

Metadata v repozitáři ASEP jsou licencována pod licencí CC0.

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.