Optically induced gaps in disordered semiconductors

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0131111
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Optically induced gaps in disordered semiconductors
Tvůrce(i)	Kalvová, Anděla (FZU-D)_{RID, ORCID} Velický, Bedřich (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Acta Physica Polonica A. - : Polska Akademia Nauk - ISSN 0587-4246 Roč. 90, č. 4 (1996), s. 837-842
Akce	International School of Semiconducting Compounds /25./
Datum konání	27.05.1996-31.05.1996
Místo konání	Jaszowiec
Země	PL - Polsko
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	PL - Polsko
CEP	GA202/96/0098 GA ČR - Grantová agentura ČR
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	1997

Počet záznamů: 1