Anomalous Hall resistance in Si(001) high mobility inversion layers at high electron concentrations

Počet záznamů: 1

SYSNO ASEP	0131022
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Anomalous Hall resistance in Si(001) high mobility inversion layers at high electron concentrations
Tvůrce(i)	Semechinski, S. (RU) Smrčka, Ludvík (FZU-D)_{RID, ORCID} Stehno, Josef (FZU-D) Borzenets, V. (RU)
Zdroj.dok.	Physics Letters. A. - : Elsevier - ISSN 0375-9601 Roč. 217, - (1996), s. 335-339
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
CEP	GA202/96/0036 GA ČR - Grantová agentura ČR
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	1997

Počet záznamů: 1