Počet záznamů: 1
Fermi contour of the 2D electron layer at a GaAs/AlxGa1-xAs heterojunction subject to in-plane magnetic fields
- 1.
SYSNO 0130989 Název Fermi contour of the 2D electron layer at a GaAs/AlxGa1-xAs heterojunction subject to in-plane magnetic fields Tvůrce(i) Smrčka, Ludvík (FZU-D) RID, ORCID
Vašek, Petr (FZU-D) RID
Koláček, Jan (FZU-D) RID, ORCID
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Cukr, Miroslav (FZU-D)Zdroj.dok. Surface Science. 361-362, - (1996), s. 509-512. - : Elsevier Konference International Conference on the Electronic Properties of Two Dimensional Systems /11./, Nottingham, 07.08.1995-11.08.1995 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant IAA110423 GA AV ČR - Akademie věd IAA110414 GA AV ČR - Akademie věd GA202/94/1278 GA ČR - Grantová agentura ČR 9106888, US - Spojené státy americké Jazyk dok. eng Země vyd. NL Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0029089
Počet záznamů: 1