0105963 - URE-Y 20040123 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Gladkov, Petar - Nohavica, Dušan
Origin of the PL-band characteristic for the GaAs-on-GaInP interface in GaAs/GaInP/GaAs/double heterosructures.
[Interpretace FL spektra z rozhraní GaAs na GaInP v heterostrukturách GaAs/GaInP/GaAs.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 17-20. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

In this work we report PL characterization of single heterostructures obtained when GaAs is grown on top of Ga_0.51In_0.49P by LPE. Wide structured PL band in the range 1.4-1.5 eV is characteristic for these structures. The obtained results reveal that this band can be related to the presence of arsenic vacancies in the GaAs layer adjacent to interface. The component with peak at 1.454 eV in this band we ascribe to recombination within a complex (V_As-group IV atom_As).

V této práci prezentujeme výsledky studia FL vlastností heterostruktury připravené deposicí GaAs na povrchu Ga_0.51In_0.49P epitaxním růstem z kapalné fáze. Široký, strukturovaný FL pás v oblasti 1.4-1.5 eV je pro připravené struktury typický. Získané výsledky interpretujeme jako důsledek přítomnosti arsenových vakancí v části GaAs vrstvy u růstového rozhraní. Komponentu s maximem 1.454 eV v tomto pásu popisujeme jako rekombinaci v komplexu V_As- příměs IV. skupiny na arsenovém uzlu.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013148