Preparation of doped and co-doped indium phosphide single crystals
1.
SYSNO ASEP
0105894
Druh ASEP
C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV
D - Článek ve sborníku
Název
Preparation of doped and co-doped indium phosphide single crystals
Překlad názvu
Příprava dopovaných a kodopovaných monokrystalů fosfidu inditého
Tvůrce(i)
Pekárek, Ladislav (FZU-D) Žďánský, Karel (URE-Y)
Zdroj.dok.
Development of Materials Science in Research and Education. Proceedings of the 14th Joint Seminar. - Praha : MAXDORF, 2004 / Nitsch K. ; Rodová M.
- ISBN 80-7345-032-1
Rozsah stran
s. 50-51
Poč.str.
2 s.
Akce
Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2004 /14./
Indium phosphide crystals doped with various impurity atoms were grown by liquid encapsulation Czochralski method. The wafers of the grown crystals were characterized by resistivity an Hall measurements and their suitability for radiation detection was assessed.
