Počet záznamů: 1
Effect of Fe inter-diffusion on the properties of InP laeyrs grown with addition of RE elements
- 1.
SYSNO ASEP 0105886 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Effect of Fe inter-diffusion on the properties of InP laeyrs grown with addition of RE elements Tvůrce(i) Procházková, Olga (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RIDZdroj.dok. 7th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2004. - [Montpellier] : [GES], 2004
s. 42-43Poč.str. 2 s. Akce EXMATEC 2004 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /7./ Datum konání 01.06.2004-04.06.2004 Místo konání Montpellier Země FR - Francie Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. FR - Francie Klíč. slova rare earth compounds ; liqiud phase epitaxial growth ; indium compounds Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd Anotace The contribution reports the diffusion of Fe into InP layers grown by LPE technique on SI-InP:Fe substrates with addition of rare earth /RE/ element into grown melt. The role of various RE elements is demonstrated together with the possibility to suppress the Fe diffusion other then by lowering the growth temperature. We have studied the behaviour of Fe by varying the conductivity type and the nature of the grown adjacent InP layers for different concentrations of Fe in SI-InP:Fe and growth conditions. The work benefits from the extraordinary properties of RE elements. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1