Počet záznamů: 1
Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy
- 1.
SYSNO ASEP 0105872 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Correlation of Pr, Dy and Tb addition with physical properties of InP layers prepared by liquid phase epitaxy Překlad názvu Vliv příměsi Pr, Dy a Tb na fyzikální vlastnosti vrstev InP připravených kapalnou epitaxí Tvůrce(i) Procházková, Olga (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Žďánský, Karel (URE-Y)
Grym, Jan (URE-Y)Zdroj.dok. Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002. - Weinheim : WileyVCH Verlag, 2003 / Stutzmann M. - ISBN 3-527-40436-8 Rozsah stran s. 950-955 Poč.str. 6 s. Akce EXMATEC 2002 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /6./ Datum konání 26.05.2002-29.05.2002 Místo konání Budapest Země HU - Maďarsko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova rare earth compounds ; semiconductors ; liqiud phase epitaxial growth Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd Anotace The characterization of InP (>10μm) layers prepared by LPE with Pr, Dy or Tb (REE) addition in the melt is reported. The conductivity has been changed from n to p type when REE exceeded certain concentration limit (0.15 wt per cent for Pr, 0.05 wt per cent for Tb and 0.03 for Dy). Comparison of PL peaks of n- and p- type conductivity laeyrs with obtained electrical data lead to conclusion that the dominant acceptor impurity for the n- and p-n type crossover is Ge for Pr addition and Mn for Tb and Dy addition. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1