Počet záznamů: 1  

Structural changes of plasma deposited SiOxCyHz thin films attained by thermal annealing

  1. 1.
    0105672 - UJF-V 20043246 RIV CZ eng J - Článek v odborném periodiku
    Franclová, J. - Kučerová, V. - Burčíková, V. - Zajíčková, L. - Peřina, Vratislav
    Structural changes of plasma deposited SiOxCyHz thin films attained by thermal annealing.
    [Strukturální změny plazmově deponovaných tenkých vrstev SiOxCyHz tepelně zatížených žíháním.]
    Czechoslovak Journal of Physics. Roč. 54, č. 9 (2004), C847-852. ISSN 0011-4626.
    [Proceedings of the Symposium on Plasma and Technology /21./. Praha, 14.06.2004-17.06.2004]
    Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104
    Klíčová slova: deposited films * plasma enhanced CVD * HMDSO
    Kód oboru RIV: BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
    Impakt faktor: 0.292, rok: 2004
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0000169
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.