0105606 - UJF-V 20043165 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Vacík, Jiří - Naramoto, H. - Yamamoto, S. - Narumi, K.
Epitaxial re-crystallization of the Ni/MgO(001) interfaces.
[Epitaxní rekrystalizace rozhraní Ni/MgO(001).]
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 219, č. 20 (2004), s. 867-870. ISSN 0168-583X. E-ISSN 1872-9584
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1048901
Klíčová slova: Ni deposition * Mg0(001) substrate * annealing
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.997, rok: 2004

Metal/ceramic interfaces have become important for advanced technologies in a variety of ways. To effectively tailor their properties, it is important to understand the mechanisms which govern the structural formation of the systems during deposition or post-deposition processing. Here, results on epitaxial re-crystallization of the Ni/MgO(0 0 1) interfaces are reported: (i) as deposited, the Ni films were grown on the MgO(0 0 1) substrates epitaxially, (ii) consecutive thermal annealing incited the process of re-crystallization, which led to the substantial improvement of their crystalline quality. The restructuring proceeded in a non-linear way, indicating that an intricate structural evolution was triggered in the system. Based on the results of the X-ray diffraction and Rutherford backscattering/channeling, the effect of thermal processing on the structural transformation of the Ni/MgO(0 0 1) interface is discussed in this paper.

V článku jsou uvedeny výsledky postupné epitaxní rekrystalizace tenké vrstvy Ni deponované na monokrystal MgO(001). Systém Ni/MgO(001) byl žíhán při teplotách 500 – 600 – 700 – 800 – 900 - 1000°C vždy 1 hod. v argonové atmosféře a po každém žíhání analyzován pomocí Roentgenové difrakční analýzy a metodou RBS-kanálování. Ukázalo se, že postupné žíhání systému vedlo především k podstatnému zlepšení krystalické kvality deponované niklové vrstvy. Epitaxní restrukturalizace však probíhala nelineárně, což naznačilo, že tento proces probíhal při různých teplotách složitým způsobem.
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0012842