Počet záznamů: 1
Erbium doped gallium nitride thin films
- 1.
SYSNO ASEP 0105582 Druh ASEP G - Konferenční sborník (mezinárodní konf.) Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Erbium doped gallium nitride thin films Překlad názvu Galium-nitridové vrstvy dopované erbiem Tvůrce(i) Prajzler, V. (CZ)
Hüttel, I. (CZ)
Špirková, J. (CZ)
Schröfel, J. (CZ)
Machovič, V. (CZ)
Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
Říha, K. (ed. CZ)
Andrejsek, J. (ed. CZ)
Houkal, L. (ed. CZ)
Husník, L. (CZ)
Kabelik, K. (ed.)Vyd. údaje Praha: Czech Technical University, 2004 ISBN 80-01-02945-X Poč.str. 2 s. Akce CTU Reports Proceedings of Workshop 2004 Datum konání 10.02.2003-12.02.2003 Místo konání Praha Země CZ - Česká republika Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Vydání A Klíč. slova thin films ; erbium ; GaN Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače CEP GA104/03/0385 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z1048901 - UJF-V Anotace The paper describes the preparation and properties of gallium nitride layers with erbiu content. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2005
Počet záznamů: 1